Penyelidik Bekerja Memori untuk Mengganti DRAM, NAND

telah beralih kepada RRAM (Resistive-RAM) sebagai cip memori Holy Grail terkini, yang dapat menggantikan memori flash DRAM dan NAND.

DRAM telah menjadi jenis memori utama yang digunakan dalam komputer selama beberapa dekad dan dinilai untuk keupayaan untuk mengendalikan data pada kelajuan tinggi. Memori kilat NAND lebih baru tetapi pasarannya berkembang pesat kerana banyak lagu, gambar dan data lain yang disimpan dalam iPod, iPhone, kamera digital dan produk lain.

Penyelidik di Institut Penyelidikan Teknologi Industri yang dibiayai oleh Taiwan (ITRI) percaya RRAM menunjukkan janji yang cukup bahawa ia boleh siap untuk pasaran cip tertanam dalam beberapa tahun akan datang.

"Kami masih dalam tahap pembangunan awal," kata Tsai Ming-jinn, pengarah penyelidikan teknologi Nanoelectronic "Pada saat ini kami tidak dapat bersaing dengan DRAM pada kebolehpercayaan," tambahnya.

Kebanyakan inisiatif penyelidikan cip memori memberi tumpuan untuk menghapuskan memori flash DRAM atau NAND kerana mereka berpegang pada pasaran besar seperti itu. Sebagai contoh, penyelidik pasaran iSuppli telah memasuki pasaran DRAM sahaja pada tahun lalu, menurut penyelidik pasaran iSuppli.

Kebanyakan percubaan untuk mengalahkan kedua-dua cip memori ini sering gagal.

Memori perubahan fasa (PRAM) cip memori yang ITRI merancang untuk mengurangkan usaha penyelidikannya pada tahun ini.

Walaupun janji awal, ITRI telah menemui PRAM sukar untuk dihasilkan. Kumpulan penyelidikan merancang untuk menyelesaikan beberapa projek penyelidikan yang berkaitan dengan PRAM yang dijalankan menjelang akhir tahun ini, tetapi kemudian memusatkan perhatiannya.

Penyelidik sering menghadapi rintangan dalam perjalanan untuk membangunkan teknologi baru, tetapi bar untuk penggantian DRAM atau NAND lebih tinggi. DRAM dicipta oleh IBM beberapa dekad yang lalu dan disempurnakan selama bertahun-tahun oleh syarikat dan kumpulan penyelidikan yang lain. Cip menguasai PC kerana kelajuan tinggi mereka dapat mengendalikan data, tetapi mereka mempunyai kelemahan. Apabila kuasa dimatikan, cip DRAM melupakan semua data mereka.

Memori flash NAND adalah berbeza kerana ia dapat memegang sejumlah besar data sama ada peranti dimatikan atau dimatikan, tetapi ia terlalu perlahan untuk menggantikan DRAM

Menewaskan cip ini berdasarkan merit teknologi mereka adalah satu isu. Halangan kedua akan membuat cip baru jauh lebih baik daripada DRAM atau NAND yang benar-benar masuk akal untuk menggantikan kerepek itu.

Itu tidak mudah memandangkan berbilion-bilion dolar syarikat telah membelanjakan untuk membina kilang DRAM dan NAND dan pembuat pelaburan PC komponen yang dibuat untuk memastikan komponen mereka, dari mikropemproses ke papan induk, bekerja dengan DRAM.

"Penghalang kemasukan sangat tinggi," kata Tsai.

Itulah sebabnya dia berharap RRAM dapat mencari kemasukan ke peranti elektronik

Lebih mudah untuk cip memori untuk bersaing di pasaran tertanam, di mana pembuat cip menggabungkan fungsi beberapa cip ke satu, yang dipanggil SoC (Sistem pada cip), kerana tidak ada sebab bagi syarikat untuk

RRAM juga baik untuk kad pintar dan kad SIM yang digunakan dalam telefon mudah alih.

Cip itu cepat seperti DRAM tetapi tidak seperti DRAM, mereka menyimpan data apabila kuasa peranti dimatikan

Tetapi ITRI mempunyai cara yang jauh untuk pergi dengan RRAM.

Kumpulan itu sudah p memegang kerangka prototaip 1Kbit dan berjaya menghasilkan cip pada wafer 8 inci, dua langkah utama di sepanjang laluan pembangunan. ITRI ​​ditaja oleh kerajaan Taiwan, dan dikehendaki oleh mandatnya untuk memberi syarikat-syarikat tempatan terlebih dahulu untuk menembak pada perkongsian mengenai mana-mana teknologi baru yang dimajukan.

Tsai berkata kumpulan itu akan terus bekerja di cip kerana ia bercakap dengan pelbagai kumpulan. Cip tidak akan bersedia untuk pasaran selama beberapa tahun.